赋能中国芯：天跃无氰电镀金工艺，如何搞定高端晶圆的“微米级”挑战？

随着摩尔定律趋缓，以Chiplet（芯粒）和3D堆叠为代表的先进封装技术，已成为延续芯片算力增长的关键路径。然而，从2D平面到3D立体的结构演进，对晶圆级电镀工艺提出了前所未有的挑战。

面对更密集的I/O互连与更复杂的散热需求，传统的电镀金工艺已成瓶颈。国产新型无氰电镀技术凭借在“厚膜沉积”与“深孔填镀”上的突破，正在成为高端制程不可或缺的材料拼图。

在AI芯片和高性能计算（HPC）的驱动下，封装形式正从传统的Wire Bonding向Flip Chip（倒装）乃至更高端的CoWoS、HBM（高带宽内存）演进。

这给电镀工艺带来了三重极致挑战：

1. 更厚： 为了支撑3D堆叠的散热和应力缓冲，RDL（重布线层）和UBM（凸块下金属层）的金层厚度往往需要突破 10μm。

2. 更细： 凸块间距（Pitch）缩小至微米级，要求镀层晶格必须极其细腻，不能有任何侧蚀或短路风险。

3. 更深： TSV硅通孔的深宽比越来越大，药水必须具备极强的深镀能力。

传统的氰化体系或普通无氰药水，在面对这种“又厚、又细、又深”的结构时，往往顾此失彼——要么镀不厚，要么厚了就粗糙发黑，导致良率雪崩。

行业数据显示，高端封测厂（OSAT）在导入先进封装产线时，对材料的容错率几乎为零。

如果电镀液的均镀能力（TP值）*不够，TSV孔内就会出现空洞（Void），导致芯片在高温工作时断路；如果金层*内应力过大，在3D堆叠的键合过程中，脆弱的晶圆就会发生翘曲甚至碎裂。

可以说，在微纳米级的战场上，落后的电镀工艺，就是高端订单的“劝退书”。

面对后摩尔时代的工艺变革，天跃新材料提前布局，将CT-288无氰晶圆电镀金工艺打造成了适配先进封装的“全能战士”。

该工艺在高端制程中展现了极强的适配性：

1. 完美适配微凸块（Micro-bumps）： 能够稳定实现 10μm以上 的超厚金电镀，且表面平整度（Roughness）控制在纳米级别，完美解决3D堆叠中的高度一致性（Coplanarity）问题。

2. 深孔填镀能力： 针对高难度TSV结构，药水展现出优异的润湿与交换性能，确保深孔底部无气泡、无漏镀。

3. 兼容性强： 无论是硅基、玻璃基板还是碳化硅衬底，CT-288均能提供优异的结合力，为多材质异构集成（Heterogeneous Integration）提供保障。

未来的芯片竞争，不仅是设计的竞争，更是制造工艺的竞争。

当Chiplet成为时代的必选项，天跃CT-288就是那把开启高端制造大门的钥匙。它不只是一桶药水，更是帮助中国封测企业突破摩尔定律限制、抢占高端市场的核心生产力。